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            TSM150NB04CRRLG/TSMxxxNB0x/40/V和60/V臺灣半導體的MOSFET適用于高環境溫度應用

            發布時間:2019/3/13 16:06:00 訪問次數:66 發布企業:深圳市和諧世家電子有限公司

            TSMxxxNB0x 40 V和60 V N溝道MOSFET 臺灣半導體的MOSFET適用于高環境溫度應用

            臺灣半導體的TSMxxxNB0x 40 V和60 V N溝道MOSFET的圖片TSC的40 V和60 V N溝道MOSFET系列具有額定溫度為175°C的結溫,適用于高溫環境應用。這些器件提供邏輯或標準柵極閾值電壓電平和寬范圍的漏源導通電阻(RDS(ON))電平,可實現靈活,強大的電源開關設計。柵極 - 漏極電荷/柵極 - 源極電荷(Qgd/ Qgs)和反向恢復電荷(Qrr)參數已經過優化,可以改善品質因數并降低EMI,并在冷負載啟動期間提供更高的浪涌電流能力并且急于求成。MOSFET采用小尺寸PDFN56封裝,可提高應用中的功率密度。

            特征 + 175°C工作結溫 100%Rg和UIS測試 低RDS(ON)可最大限度地降低導電損耗 低柵極電荷,實現快速功率切換 邏輯水平 符合RoHS標準并符合WEEE 2002/96 / EC 無鹵 小PDFN56包

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