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            IPA60R650CE晶體管-FET,MOSFET-單,原裝正品現貨,假一賠萬!

            發布時間:2019/3/12 10:49:00 訪問次數:67 發布企業:深圳市諾美思科技有限公司

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            數據列表 IPD60R650CE, IPA60R650CE;
            標準包裝 500 包裝 管件 零件狀態 在售 類別 分立半導體產品 產品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單 系列 CoolMOS™ CE
            規格 FET 類型 N 溝道 技術 MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss) 600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 7A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值) 650 毫歐 @ 2.4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值) 20.5nC @ 10V Vgs(最大值) ±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 440pF @ 100V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 28W(Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型 通孔 供應商器件封裝 PG-TO220-FP

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