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            IRLML6402TRPBF晶體管-FET,MOSFET-單,INFINEON代理現貨!

            發布時間:2019/3/12 10:47:00 訪問次數:67 發布企業:深圳市諾美思科技有限公司

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            數據列表 IRLML6402PbF;
            標準包裝 1 包裝 剪切帶(CT) 零件狀態 在售 類別 分立半導體產品 產品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單 系列 HEXFET®
            規格 FET 類型 P 溝道 技術 MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss) 20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 3.7A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V 不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值) 65 毫歐 @ 3.7A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值) 12nC @ 5V Vgs(最大值) ±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 633pF @ 10V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 1.3W(Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型 表面貼裝 供應商器件封裝 Micro3™/SOT-23 封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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